内部flash模拟eeprom逻辑

发布时间：2024年01月15日

在STM32的flash模拟eeprom的底层逻辑与AUTOSAR的fee逻辑是不同的：一般是用于MCU内部flash模拟eeprom

STM32的外部flash模拟eeprom就是将flash里选取几个Sector，组合成逻辑上eeprom的page，一个page0，一个page1。

模拟成eeprom的两个eep_page写数据逻辑就是，先在eep_page0写数据，eep_page0写满后，将eep_page0的有效数据copy到eep_page1，之后擦eep_page0，此时需要注意的是将eep_page0的有效数据copy到eep_page1，因为正常我们向flash里写的数据有很多无效数据，比如同一个变量写了50次，那我们只需要最后一次的值，之前的49次都是无效数据。所以此时是将flash里模拟成eeprom的全部有效数据copy到eep_page1里flash的sector中，此时sector会有很多未使用的空间，也就可以继续写数据。（实际上page每次切页最终保留的就是所有存在的变量）

文章来源:https://blog.csdn.net/xiandang8023/article/details/135603365
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