MOS选型

一般设计选择NMOS,在做开关的时候选择PMOS。

VDS:漏极和源极之间能承受的最大电压。

ID:确保主电路电流在最大漏源电流之内

VGS：栅极开启电压，但此时MOS并不完全导通

G极和S极的结电容

不考虑EMI问题的话开关速度越快效率越高。

一般用三极管放大电流再驱动MOS的方法不稳定，采用MOS驱动芯片栅极驱动IC效果好。

栅极串一个电阻可以减缓振荡，避免误触发。

布线太长电感太大，重画。换驱动电流更大的驱动芯片，或者减小栅极电阻。

正常效果：

MOS可以组成H桥，三相全桥电路：

H桥驱动的死区：代码中加入死区让一侧的上下桥PWM差几百NS，防止一侧的上下桥同时导通

刹车：两个上桥同时导通会触发刹车，停止电机转动。

单片机的I/O口输出的驱动电压在0--3.3V之间，而MOS管是一种电压驱动器件，要想使其充分饱和导通，一般需要较高的驱动电压，故不能直接用单片机I/O口驱动MOS管。与IO的电流其实关系不是很大。

H桥电路是一种典型的直流电机控制电路，其工作原理是通过控制对角线的MOS管导通来驱动电机转动。在H桥电路中，如果采用自举升压电路，可以实现对电机的高压驱动。

自举升压电路能够将低电压升高到较高电压，以满足电机驱动的需要。其工作原理是利用电容的储能和放电特性，通过不断的正反馈闭环，将电压从低电压逐步提升到高电压，从而实现升压的目的。

在H桥电路中，当上管导通时，漏极D和源极S之间的电压Vds是很小的，如果要想直接驱动栅极G，满足Vgs>Vgs(th)的条件，则需要在栅极G和地之间加一个很高的电压，这个难以实现控制。而自举电路应运而生，可以轻松在上管栅极G产生一个高压，从而驱动上管MOS。

此外，在一些电路中使用MOS搭建桥式电路时，对于下管NMOS导通条件很好实现，栅极G与源极S之间的电压Vgs超过Vgs(th)后即可导通，Vgs(th)通常比较低，因此很容易实现。而对于上管Q1而言，源极S本来就有一定的输出，如果要想直接驱动栅极G，满足Vgs>Vgs(th)的条件，则需要在栅极G和地之间加一个很高的电压，这个难以实现控制。

因此，在H桥电路中采用自举升压电路可以解决上管高压驱动的难题，提高电机的驱动能力和效率。同时，自举升压电路还可以通过不断的正反馈闭环，将电压从低电压逐步提升到高电压，从而实现对电机的高压驱动。