在上几篇文章中,我们详细讲解了氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺。经过上述工艺,晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容(Capacitor);而代工厂或CPU制造商则会让晶圆底部排列鳍式场效电晶体(FinFET)等三维晶体管。
1 电容(Capacitor):蓄电池等储存电荷(电能)的设备,用于各种电子产品。在本文中,电容指半导体数据的存储设备。
2 鳍式场效电晶体(FinFET,Fin Field-Effect Transistor):三维MOSFET的一种,因电晶体形状与鱼鳍相似而得名。
▲ 图1:电子元器件区域与金属布线区域(摘自:Cepheiden)
单独的元器件若不经连接,则起不了任何作用。如果不把电子线路板上的元器件焊接起来,它们就无法工作。同样地,晶圆上的晶体管若没有相互连接起来,也起不了任何作用。只有把晶体管与外部电源连接起来,它们才能各司其职,正常执行把已处理过的数据传输到下一个环节等各种工作。可见,晶圆上的元器件与电源以及其他元器件之间的连接是必要的。更何况,半导体本身就是一个“集成电路”,各个元器件之间需要通过电能来“交流”信息。根据半导体电路图连接电路的过程,就是本篇要讲的“金属布线”工艺。
相同的元器件,用不同的方式连接,也能形成不同的半导体(CPU、GPU等)。可以说,金属布线是赋予半导体工艺“目的”的一个过程。
▲ 图2:以金属布线(黄色部分)连接电子元器件层(红色部分)(图中省略了部分结构)(摘自:维基百科)
本篇要的金属布线工艺,与前面提到的光刻、刻蚀、沉积等独立的工艺不同。在半导体制程中,光刻、刻蚀等工艺,其实是为了金属布线才进行的。在金属布线过程中,会采用很多与之前的电子元器件层性质不同的配线材料(金属)。
换言之,不像刻蚀工艺有专门的“刻蚀设备”,金属布线环节没有其专门的“设备”,而是要综合使用各个工艺环节的设备:如移除残余材料时,使用刻蚀设备;添加新材料时?