闪存不是完美的存储介质，尤其是随着删除密度的提升，会越来越不可靠。一般存在如下问题：
读干扰。在一个闪存块上读的次数过多，可能导致存储单元数据从1编程0，发生位翻转，不采取措施会导致数据丢失。读干扰不会影响闪存寿命，但会影响数据可靠性。
写放大。为了解决读干扰而采用的SSD算法，有可能会带来额外的数据写入，造成实际写入的数据大于预期写入的数据。
磨损。擦写次数增多导致坏块。
写干扰。写操作时导致计划外的Cell额外注入电子，导致目标编程页写入错误数据。
抑制编程干扰。对需要编程的存储单元所在位线上单元的干扰。可能导致编程好的闪存页发生位翻转，影响数据的可靠性。
数据保持。随着时间推移，浮栅中的电子会因本征电场作用逃逸，导致位反转数量超出控制器纠错能力时，致使用户数据丢失。同擦写次数和温度有关。温度越高，数据流失越快。
存储单元之间的干扰。某一个浮栅极里的电荷发生变化，因寄生电容，会引起其他单元里的电荷发生变化，尤其是与之相邻的单元。