MOS管详解-1

发布时间:2023年12月24日

00 MOS管选型关键参数

  1. 开启阈值电压(Vgsth):有些MOS管阈值电压不到1V,MOS管就能开始导通,有的MOS管开启电压至少2V。

  2. 持续工作电流(Ihold): MOS管工作时,能持续通过D极和S极间的电流。

  3. 栅极和源极之间的最大值(Vgs):当MOS管开始导通时,这个电压值较小,当栅极和源极间的电压值达到一个值时,MOS管才能完全导通。加载这两端的电压值也有个极限,不能超过给出的最大值。

  4. 最大耐压值(Vdss):加载到D极和S极间的最大电压值。通过MOS管加载到负载上的电压值,一定要小于最大耐压值,而且留有足够的余量。

  5. Vbr击穿电压:在G极和S极间的电压值为0时,在D极和S极间加载电压,当电压值达到多少V时,MOS管被击穿。

  6. 导通电阻:我们希望它的电阻越小好,电阻越小,功耗就越小,发热量就越小。一般为几十毫欧,小的能达到几毫欧。

  7. **RGS:**栅源电阻,栅源之间电压与栅极电流之比

  8. IDSS:零栅压漏极电流,正温度系数

  9. IGSS:栅源漏电流,特定的栅源电压下流过栅极的电流

  10. 冲击电流(Idm):负载启动的瞬间,可以有很高的冲击电流,包括浪涌等。这个冲击电流一般为保持工作电流的4倍。

  11. 漏电流:开启电压为0时,MOS管没导通时,在D极和S极加载电压时,D极和S极之间会有很小的电流。

  12. 开启时间、上升时间、关断时间、下降时间:这4个参数说明MOS管的开速度,MOS管用在高频信号电路中,这个参数很重要。比如一个频率为50Khz的PWM波,有高电平和低电平,MOS管需要不停的关闭和打开,如果MOS管导通和关闭速度不够,这个PWM波不能完整传输。

01 MOSFET的认识及三极管对比功耗

学习MOS管,对标三极管,
三极管有N管和P管,MOS管也有N管和P管,MOS管的G(栅极)D(漏极)S(源极),对标三极管的b(基极)c(集电极)e(发射极)。
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三极管具有功率方法的作用,功率放大是一个总称,实际上放大的是电流,等效内阻变小。
同样,MOS管也有功率放大的作用,无论是G/b(控制极),还是D/c(输出级),控制极的电流很小,控制信号的内阻大;输出级的电流很大,输出信号的内阻大。

三极管放大的前提条件是ib,ic 需要有电流,各自要有完整的回路,有回路,有电流,则必然产生功耗,P=UI,W=Pt。在电路设计中,三极管用的越多,功耗越大,这也是早期芯片设计中功耗大的原因,三极管是一个流控流型的器件。

那能不能不用电流控制,场效应管MOSFET应运而生,器件的发展是因为另一个器件受制了,所以才会有新的发展。MOS管的出现,需要去解决三极管的问题。假设现在需要一个大功率的应用场合,需要ic流过100A的电流,放大倍数100倍,那ib至少要1A,如果三极管比较多,对电源的要求太高了。另外一个问题,ib是1A,be的压降Vbe=0.7V, 那功耗Pb=0.7W, Vce=0.3V, 功耗Pc=30W, 这样一个三极管就会大于30W的功耗,十个呢,二十个呢,这样的电路功耗是相当大的。结论:三极管的功率和电流不能太大。一般都是在mA级别。

MOS管需要去解决功耗的问题,也就是解决功率的问题,那一定不能是流控流型器件,不能有电流,除了电流还有电压,MOS是一个压控压型器件,管子的单通只看电压的阈值。

  1. GS之间必然存在一个电容,因为只有电容才能存电,只有电容才能用电压充电,才能产生一个阈值。谈到电压就想到电容,谈到电流就想到电感。
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  2. 先对电容进行充电,在充电过程中,电容上是消耗电流和功耗的,充电完成后,电容充满,电容上是没有电流和功耗的。
  3. DS之间等效成一个可变电阻,这个可变电阻在关断期间阻值无穷大,在开通期间阻值无穷小。由于阻值无穷小,即便是电流很大,功耗也很小。MOS管既可以放大,功耗又小,就很好的解决了三极管的不足。

模电的本质:电压,电流,斜率
电压:电容,MOS管
电流:电感,三极管
电压斜率(可以用电容),电流斜率(可以用电感)

02 MOSFET损耗问题及GS电容问题

只要这个C3有一个能让MOS管导通的阈值电压,那这个MOS管就能导通。
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假设,GS间的电容有一个阈值电压,使得DS导通。在这里,电容没有放电回路,电容不消耗电流,GS无电流,没有消耗。DS导通等效为电阻无穷小,这个电阻称为Rds(on),在当前MOS管下最小,不同的MOS管,这个Rdson值也不一样。

在选型时,如果选择通过电流大的MOS管,Rdson就会小,那价格也会更高。MOS管导通了,但没有回路,而三极管必要要有回路,这也是二者的区别。在测量MOG管时,需要将GS短路,给电容放电。

MOS管的损耗问题

  1. 当DS导通,虽然Rdson很小,但当流过电流很大时,也会有损耗,这个损耗称为MOSFET导通损耗,这是由MOSFET的Rdson决定的。Rdson越大, 则管子的导通损耗越大,为了进一步降低管子的导通损耗,则可以增大Vgs,但管子Vgs不要超过±20V,不然会坏。
  2. 流过DS的id电流,是由负载决定的。关断之后等效电阻无无穷大,理论上就不存在损耗。

体二极管
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MOSFET中有一个二极管,叫体二极管。定义由D到S方向为正,这个二极管的方向是和DS的导通方向相反。当MOSFET是正向导通时,这个体二极管时反向截止的,当电流是反向流动时,这个体二极管就会导通。二极管钳位电压0.7V,实际上是和流过二极管上的电流是有关系的,电流越大,钳位电压越高,因为二极管有内阻。

二极管的功耗:0.7V×流过的电流。二极管流过的电流也是由负载决定的。体二极管的功耗还是挺大的,称之为续流损耗。续流是续的电流,这个源就不是电压源了,而是负载上的电流源。体二极管的电流一般是和id接近或相等,体二极管不是刻意做的,而是客观存在的。

MOSFET中gs电容问题

我们使用的MOSFET实际上是由若干个小的MOSFET合成的 ,既然是合成的,会有低压MOS和高压MOS的差异。
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对于低压来讲,既然是多个管子并联,对于GS电容来讲则会更大,因为电容并联增大,高压GS电容相对就小,也就是
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MOSFET的GS电容对管子开通特性的影响:
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03 MOSFET的GS下拉电阻及等效模型

下图是断路的,但是一旦GS电容上有电,DS实际上是导通的,与有没有回路无关,正是因为这样一个特性,当我们拿到一个MOS管时,不知道这个管子GS上有没有电,万一DS这个时候时导通的,直接焊接到电路板上,可能会出现问题。为了考虑到安全性,必须在电路设计的时候,在MOSFETGS之间加一个电阻,让GS电容放电。
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因为有GS电容的存在,MOSFET开通会有一个延时
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MOSFET等效模型
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这几个电容是客观存在的,不是刻意增加的。米勒电容是随着漏极电压的升高而降低的。

04 MOSFET导通阈值及Cgs和下拉电阻分流

米勒电容在MOS管的开通和关断过程中,扮演着十分重要的作用。
MOS管时如何进行导通的,MOS管有阈值导通电压:4.5V,2V、1V等,栅源之间的电压差。

由于GND是存在干扰的,地上有毛刺,控制信号线上也有毛刺,从抗干扰的角度,阈值电压越高越好。
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假设导通阈值电压4.5V,分析Cgs和下拉电阻之间的回路分流问题
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05 米勒效应及MOS管放大区讨论

Crss(Cgd)米勒电容,它是具有米勒效应的,MOS管有一个转移特性,栅极的电压和漏极的电流保持着一个比例关系。
米勒效应问题参考另一篇笔记米勒电容和米勒效应

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