数字集成电路VLSI复习笔记2

发布时间：2024年01月17日

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逻辑门符号

电路逻辑门图形符号汇总- blogernice - 博客园

Inverter

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CMOS NAND Gate

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CMOS NOR Gate

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MOS Capacitor

nmos cutoff

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Linear

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Saturation

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Channel Charge

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Carrier velocity

外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传

nMOS Linear I-V

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nMOS Saturation I-V

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Summary

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外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传

nMOS Operation

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pMOS Operation

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Inverter Step Response

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Delay Definitions

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3-input NAND Caps

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Elmore Delay

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Estimate rising and falling propagation delays of a 2-input NAND driving h identical gates

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多米诺电路

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逻辑努力

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Method of Logical Effort

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推气泡法

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请简要说明动态逻辑电路输出单调性特点，对输入信号的单调特征有什么样
的要求，如果两个电路需要级联时应该如何设计两个电路的连接。（12 分）
答案：
由于动态电路具有单调降的输出电压，即在预充电之后上拉网络输出电压依靠输
出电容保持高电平输出，没有上拉充电回路（4 分）；输出电压降低后不能再升
高，输入信号的电压需要单调升高的，保证动态逻辑门电路下拉网络放电仅有一
次，因此两个动态逻辑电路不能直接级联（4 分）。在一个动态逻辑电路后连接
一个静态逻辑门反相（如反相器），改变输入单调性，然后再与动态逻辑电路级
联构成多米诺电路的形式（4 分）。

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该电路具有或非逻辑功能（4 分），

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噪声容限

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反相器的速度

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反相器功耗

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方向器设计：综合

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例题

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集成电路低功耗设计

集成电路为何需要低功耗？

功耗来源

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符合逻辑门动态功耗

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减少漏电流-多阈值逻辑电路

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CMOS和PMOS晶体管串联和并联

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与非门NAND

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或非门

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复杂CMOS门的晶体管尺寸规划

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CMOS 功耗总结

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有比逻辑

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Pseudo-NMOS

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传输门

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预充电求值逻辑

VLSI 设计方法

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世界集成电路发展历程

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版图设计理念

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VLSI设计主要流程

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MOS晶体管结构

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PN结单向导电——集成电路的基础

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载流子是源到漏，电流是漏到源

mos 晶体管工作原理

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V D S ——源漏电压 V_{DS} —— 源漏电压 VDS?——源漏电压

V G S ——栅源电压 V_{GS}——栅源电压 VGS?——栅源电压

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饱和区工作条件image-20240108215238621

MOS管的转移特性
  • 是指 I D S I_{DS} IDS? 随着 V G s V_{Gs} VGs? 的变化关系
MOS晶体管的电学本质

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PMOS 晶体管

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两类MOS晶体管

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MOS管符号

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CMOS结构及其优势

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CMOS反相器设计

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PMOS 高电平是源，低电平是漏；

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所以两个漏极相连

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静态分析

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CMOS逻辑门构造

与非门设计方法

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nmos 为1，pmos为2。

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异或门和同或门

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传输门

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源和漏之间可以传

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源和漏是不分的，只有人分析的时候才分

三态门

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时序逻辑

如何锁存信号-正反馈

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D 触发器

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触发器的时序参数

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时序逻辑的性能优化

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时序逻辑的功耗优化

静态功耗和动态功耗-电容充放电。

降低时钟的负载

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跟主从式结构区别——反馈环路

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偏差和抖动对电路的影响

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抖动一定使性能下降

正的偏差可以使性能上升，反之下降 。

工艺与设计接口

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逻辑努力

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文章来源:https://blog.csdn.net/qq_46264636/article/details/135651835
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