7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65

发布时间：2024年01月08日

编辑：ll

7N65-ASEMI高压NPN型MOS管7N65

型号：7N65

品牌：ASEMI

连续漏极电流(Id)：4A

漏源电压(Vdss)：650V

栅极阈值电压：±30V

单脉冲雪崩能量：150mJ

集电极电流（脉冲）：8A

导通内阻RDS(on)：1.3Ω

功率(Pd)：50W

芯片个数：1

封装：TO-220F

工作温度：-55°C~150°C

引脚数量：3

类型：插件塑封二极管、高压MOS管

7N65描述：

采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。

7N65应用领域

PWM应用

负载开关

电源管理

开关电源

文章来源:https://blog.csdn.net/SUNNYSPY001/article/details/135451496
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