????????????????我这个hal库底层是一次写一页,擦除也是以页为单位的。这个芯片太偏了,有点小恶心。
uint8_t flash_read(uint32_t add)
{
uint8_t temp;
temp = *(__IO uint8_t *)(add);
return temp;
}
void flash_read_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len)
{
uint8_t i = 0;
for (i = 0; i < len; i++)
{
data[i] = *(__IO uint8_t *)(add + i);
}
}
HAL_StatusTypeDef flash_write_buf(uint32_t add, uint32_t *data)
{
uint8_t i = 0;
HAL_StatusTypeDef sat;
FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁Flash
My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGEERASE; //标明Flash执行页面只做擦除操作
My_Flash.PageAddress = add; //声明要擦除的地址
My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数,此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError); //调用擦除函数擦除
/*对Flash进行烧写,FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的,此外还有32位跟64位的操作,自行翻查HAL库的定义即可*/
sat= HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE, add , &data[i]);
if(sat!=HAL_OK)return sat;
HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash
return sat;
}
#ifndef FLASH_H_
#define FLASH_H_
#include "def.h"
#include "py32f072_hal_flash.h"
#define FLASH_end 0x0801FE00 //最后一个扇区的最后一页
void test_flash(void);
HAL_StatusTypeDef flash_write_buf(uint32_t add, uint32_t *data); //写入数据
void flash_read_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len); //读取数据
#endif