【郑益慧】模拟电子技术:5.双极晶体管的结构与方法原理

发布时间:2024年01月25日

双极晶体管的结构与方法原理

  • 空穴和自由电子都参与导电
  • 称之为双极晶体管(半导体三极管)

1.结构及类型

一块半导体材料上,做出三个不同的掺杂区域。

发射极 —— emitter

基极 —— basic

集电极 —— collector’

为什么叫不同的名字?

因为掺咋浓度不同

发射区:发射载流子的区域;——掺杂浓度是最高的

集电区:收集载流子;—— 掺杂浓度不能过高,面积最大

基区:控制;——掺杂浓度比较低,非常薄

  1. 三个区域;
  2. 三个电极;
  3. 两个PN结:发射结;集电结;

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从掺杂浓度来说,上面的N比下面的N 大很多很多。

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电流放大作用

Ic/Ib 近似于一个常数

Ic跟着Ib变,是Ib的放大

能量的转换不是凭空产生,如果电流被放大,那么一定是有外部电源的支持。

一、放大

三极管实际是一个控制元件,控制电源的功率,得到

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相当于控制了电源的能量。

因此有了电流放大作用。从而使喇叭声音变大,机械臂的力量增大等等。

注意:放大的最重要的就是不能失真。要保证放大前后一致。

接下来就要说,要实现方法,肯定需要电路,那么基本共射放大电路就出来了。

基本共射放大电路

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为什么要在基极加一个电阻?

答:如果把1V电压直接加在PN结的两端,电流很大,三极管烧坏。所以要串一个限流电阻。

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  • 一个PN结正向偏置(正偏)即正向导通
  • 一个PN结反向偏置,作用本文后面就知道了。

因此对发射结正偏(导通),集电结反偏。

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接下来就说一下,为什么成比例。

晶体管内部载流子的运动

正向偏置:

发射区的自由电子向基区扩散,基区中的多子(扩散)向发射区扩散。

(发射区的掺杂浓度远远大于基区),产生的电流。

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  • 基区的掺杂浓度很低,空穴数目很少;发射区掺杂浓度很高,自由电子数目很多;所以这两个电流

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  • 扩散运动正常,发射区是载流子的聚居区,高掺杂浓度,大量自由电子向基区扩散;发射区的自由电子向基区扩散,基区中的多子(空穴)向发射区扩散。

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总结:

自由电子到基区了,基区本来自由电子是少子,但是扩散的非平衡少子比它原来的多子还要多。

自由电子聚集浓度特别高,继续向前扩散。经过基区,往集电极扩散;扩散的过程中,在基区必然发生复合(原因看图中红字);由于两点:基区薄且掺杂浓度低,目的就是让绝大多数的自由电子能扩散到集电极;基区的掺杂浓度和宽度决定了复合的百分比;但是,基区的整个掺杂浓度是不变的;由于复合百分比的固定,所以

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如果还不明白,为什么成比例:那我重新说一遍,因为基区的空穴基本上都是IB提供的,所以当基区自己的空穴没了以后(通过扩散或者复合),此时基区空穴产生的速度由IB决定,那么IB就和IC成比例了。

在基区干的事: 扩散 、复合(比例近似固定,扩散的速度不变) 、 产生;

在扩散的速度是不变的条件下,复合的比例是固定的,要让自由电子快速经过基区到达集电区以后,快速被移走,否则会聚集;

反向偏置:

外电场和内电场的力的方向相同。因此自由电子会被快速收集。不懂去看第二节。

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作用:自由电子被电场快速收集;保证浓度梯度的正常;一旦反偏没有(电场力变小,收集速度变小),IB和IC的比例就不能保证;

本来因为反向偏置,基区的非平衡少子跑到集电区,会立刻因为电场力被吸走。

如果没有了,那就不能被吸走,IC的电流也不会变大。

而IB的电流还是可以变大。

集电区收集自由电子

反偏,会有漂移运动,

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因此最终

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放大系数

共射的电流放大系数

在绝大多数情况下,这两者是近似的;从意义上来说,是不一样的;

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当IB=0,仍然存在一个电流穿透电流

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共基的电流放大系数

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总结:如何实现电流放大呢,发射极正偏,集电结反偏。

三极管特性的分析,请看下一节。

文章来源:https://blog.csdn.net/weixin_52958292/article/details/135825473
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