TVS管，即瞬态电压抑制器，是一种用于保护电路免受瞬态过电压损害的半导体器件。在高速链路（如USB、HDMI、以太网等）中，TVS管被广泛用于抑制外部电涌、静电放电（ESD）等引起的瞬态电压，以保护敏感的电子组件。
TVS管的结电容：是在TVS管的PN结上形成的固有电容。这个电容是由于PN结的耗尽区内电荷分布而产生的，并且它的大小与TVS管的设计、制造工艺以及反向偏置电压有关。
补充： PN结是半导体器件中的一个基本构成部分，它由一个P型半导体和一个N型半导体紧密接触形成。P型半导体是含有正电荷载流子（空穴）的半导体材料，而N型半导体则是含有负电荷载流子（电子）的半导体材料。当这两种材料结合在一起时，它们在接触界面处形成了一个PN结。
PN结的基本特性和工作原理如下：
1、形成耗尽区：当P型和N型半导体材料结合时，由于浓度梯度，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子开始向对方扩散。这种扩散导致了在接触界面附近形成一个无多余载流子（即空穴和电子都不多）的区域，这个区域被称为耗尽区。耗尽区的存在导致了一个内建电场的形成，该电场阻止了进一步的载流子扩散。
2、内建电压：耗尽区中的电场形成了一个内建电压（Built-in Voltage），它的方向是