QC/PD快充电源选型分析

发布时间：2023年12月29日

? 原边650-700V SJ MOSFET采用低FOM值的ESM 技术，有利于提高系统效 率， 以及更佳的EAS和EMI等特性，对于一些不含PFC电路的系统更友好。
? 副边采用低FOM值的SGT同步整流电路，相比肖特基二极管整流能有更低的 损耗，有利于系统效率的提高。
? 我们的产品覆盖原边650/700V SJ，副边 40-100V SGT，以及 30-40V VBUS 产品，提供全套 Power 产品方案。

文章来源:https://blog.csdn.net/Qingniu01/article/details/135295099
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