SIC产业链简述

发布时间:2024年01月02日

同第一代硅半导体产业链类似,SiC产业链也分为以下几个环节:

设备和材料环节,包括晶体生长炉、MOCVD、切割设备、碳粉/硅粉/SiC粉体、石墨件等耗材;

SiC衬底合外延环节,包括导SiC晶体生长、衬底晶片、外延片等制造;

SiC芯片和器件环节,利用IDM模式或者Fabless模式,设计、生产制造SiC功率器件和模块;

下游应用环节,包括新能源车、光伏风电、工控、5G、雷达、卫星通信等应用。

目前全球SiC产业链都处于早期,新能源汽车刚刚打开SiC功率器件的应用市场,所以国内SiC产业水平与国际巨头之间的差距并没有像第一代半导体产业那么大,国内已经覆盖了从原材料、设备、衬底晶片、外延片、芯片和器件全产业链。

当前SiC产业还有一个明显的特征,由于产业处于早期,相当一部SiC企业,经过早期的技术探索,解决了从设备、材料、衬底晶片、器件全部环节,特别是长晶炉设备自研、衬底晶片材料自产自用,有利于工艺的把控,这是一个与第一代半导体产业不太一样的IDM模式

从SiC产业全球的整体格局看,呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大,包括科锐(Cree)、Transphorm、二六(II-VI)、陶氏化学(Dow Corning)等,占有全球SiC衬底晶片产量的70%~80%,Cree一家市占率高达6成之多;欧洲拥有完整的芯片/器件以及应用产业链,包括英飞凌、意法半导体、Siltronic、IQE等;日本是衬底晶片、设备和模块开发方面的领先者,典型公司是罗姆半导体、三菱化工、松下、住友电气、瑞萨、富士电机等。

文章来源:https://blog.csdn.net/SNOWTSHAN/article/details/135337210
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