AGM AG16KDDF256 是由 AGM FPGA AG16K 与 DDR-SDRAM 叠封集成的芯片,具有 AG16K FPGA的可编程功能,提供更多可编程 IO,同时内部连接大容量 DDR-SDRAM。
? FPGA 外部管脚
FBGA256 封装,管脚说明请见下表 Table-1:
Table-1 FBGA256 Package
?DDR-SDRAM 说明
内部 DDR-SDRAM 为 128Mbit(16 bits 位宽)容量。由于 DDR-SDRAM 为 2.5V 器件,FPGA的 VDDR 电源管脚都需接 2.5V。
FPGA 的内部 IO 与 DDR-SDRAM 连接,软件中调用的管脚名称请见下表:
?配置说明
AG16K 配置方式支持 JTAG,AS(Master)和 PS(Slave)方式,可通过 MSEL[2:0]选择,AG16KDDF256 的 MSEL[2]和 MSEL[0]在封装内接到 GND,需参考外部管脚 MSEL1 下表设置,选择不同配置模式。AS 方式也可通过 JTAG 口直接烧写配置 FLASH。
?软件开发流程
用 Quartus 基于 Cyclone IV EP4CE15F23 为基础完成原始设计。管脚位置分配可先忽略。DDR 控制器可采用 Quartus IP 或自己编写。
新建一个文本格式的管脚分配文件 ve 文件。编辑 ve 文件加入 FPGA 的 IO 位置设置。管脚名称请参考前面的管脚说明表格,ve 文件格式如下(管脚设计名称+空格+封装管脚名称,#为注释符):
打开 AGM Supra 软件,新建工程。执行 Tools-Prepare,选择原 Quartus II 项目目录,Device选 AG16KDDF256,并选择编辑好的 ve 文件后,点击 Run。正确运行后会生成 af_prepare.tcl等文件。
打开 Quartus 项目,通过 Tools-Tcl Scripts 运行 af_prepare.tcl 脚本文件,会把 ve 的内容导入到 EP4CE15 对应的管脚分配,并继续自动执行编译过程,在项目目录中生成Simulation 目录以及综合后的 vo 等文件。
打开 AGM Supra 软件,执行 Tools-Migrate。Target directory 设为 AG16K 的项目目录,Fromdirectory 设为原 EP4CE15 的设计目录。选择 Device 为 AG16KDDF256,同样选择 ve 文件。点击 Next,参考页面说明 OR 上面的部分,即直接点击 Next。
下面界面中可设置编译参数,或采用默认设置即可。
点击 Finish,进入编译过程,在 Console 界面可查看编译信息,成功后显示下面信息,并生成配置烧写文件。
如需修改设计,由于 af_prepare.tcl 已把设置加好,不用每次重新运行 tcl,在 Quartus中直接执行编译即可。然后在 Supra 中执行 Tools –> Compile 进行编译。
? 器件烧写
Supra 软件中,选择菜单:Tools-Program。选择需烧写 PRG 文件,采用默认下载线类型USB-Blaster。
点击“Program”按钮,开始通过 JTAG 烧写 PCB 上 AG16K 或 FLASH 器件。
? 烧写文件类型:
_SRAM. prg 文件为片内 SRAM 写入,通过 JTAG 烧写,掉电即失效,可用于设计调试;
_master.prg 文件为 Master(AS)配置方式下,通过 JTAG 烧写 FLASH 的文件;
_master.bin 为 Master(AS)配置方式下,Flash 的通用烧写文件;
.bin 或 rbf 文件为 Slave(PS)配置方式所需文件,rbf 文件的字节高低位反向