50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65

发布时间：2024年01月06日

编辑：ll

50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65

型号：50N65

品牌：ASEMI

封装：TO-247

连续漏极电流(Id)：50A

漏源电压(Vdss)：650V

功率(Pd)：388W

芯片个数：2

引脚数量：3

类型：插件、高压MOS管

特性：N沟道MOS管、高压MOS管

RDS(on)：60 mΩ

VGS：±30V

封装尺寸：如图

工作温度：-55°C~150°C

50N65特性：

50N65采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。.

50N65应用领域：

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面贴装封装

PWM应用

负载开关

电源管理

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文章来源:https://blog.csdn.net/SUNNYSPY001/article/details/135422087
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