50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65

发布时间:2024年01月06日

编辑:ll

50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65

型号:50N65

品牌:ASEMI

封装:TO-247

连续漏极电流(Id):50A

漏源电压(Vdss):650V

功率(Pd):388W

芯片个数:2

引脚数量:3

类型:插件、高压MOS管

特性:N沟道MOS管、高压MOS管

RDS(on):60 mΩ

VGS:±30V

封装尺寸:如图

工作温度:-55°C~150°C

50N65特性:

50N65采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关应用。.

50N65应用领域:

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面贴装封装

PWM应用

负载开关

电源管理

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文章来源:https://blog.csdn.net/SUNNYSPY001/article/details/135422087
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