中途容性负载产生的第一位影响就是下冲噪声,第二位影响是远端信号的接收时间被延迟。电容器与传输线的组合就像一个RC滤波器,所以传输信号10%~90%上升边将增加,信号越过电压门限50%的时间也将推后。传输信号10%~90%上升边约为:
RT=2.2RC=ZoC? (8-1)
传输信号通过电压门限50%的时延增加量(时延累加)为ATD(ns)为:
ATD=RC=0.5ZoC? (8-2)
RT表示上升边的10%~90%(ns),Zo为传输线特性阻抗(Ohm),C为容性突变(nF)。使用图7.1的模型进行仿真,观察中途容性负载取不同电容值时造成的时延。
驱动器:阶跃电源VtStep,上升时间100ps,幅值为1V
驱动器内阻:10Ohm
源端端接电阻:40Ohm
时域扫描:结束时间60ns,步长0.01ns
TLD1、TLD2特性阻抗均为50Ohm,时延为1ns的传输线
终端负载输入电阻可看作开路
图8.1传输信号上升边(原始信号上升边100ps)
如图8.1,根据图像粗略估算,2pF、4pF、6pF、8pF、10pF的电容器对应的时延累加分别为50ps、150ps、250ps、350ps、450ps,与式8-2的结论不一致?——待更新
当传输线上存在一个小的容性负载时,信号将失真,信号上升边也将退化。若传输线上每隔一段距离就分布一个电容,且间距小于上升边的空间延伸,则每个容性突变处引起的反射就会相互抵消:其效果相当于降低了传输线的特性阻抗。而其上均匀分布容性负载的传输线就被称为有载线。
有载传输线线仿真模型如图9.1所示,无载传输线线仿真模型如图9.2所示。
图9.1有载传输线线仿真模型
图9.2无载传输线线仿真模型
驱动器:阶跃电源VtStep,上升时间1ns,幅值为1V
驱动器内阻:理想电源无内阻
时域扫描:结束时间60ns,步长0.01ns
TLD27~TLD32特性阻抗均为50Ohm,时延为0.167ns的传输线(相当于1in传输线)
C1~C5电容值均为3pF,模拟传输线上单位长度上的分布电容
终端负载输入电阻可看作开路
驱动器:阶跃电源VtStep,上升时间1ns(不同仿真有所调整),幅值为1V
驱动器内阻:理想电源无内阻
时域扫描:结束时间60ns,步长0.01ns
TLD26特性阻抗均为50Ohm,时延为1ns的传输线
源端端接电阻为50Ohm
终端负载输入电阻可看作开路
图9.3无载线和有载线传输信号
当信号源上升时间为1ns,端接电阻均为50Ohm时,有载线和无载线传输信号如图9.3,可见此时有载线的传输信号比无载线的幅值小,可知此时有载线的端接电阻偏大,即有载线上的分布电容引起了有载线特性阻抗的降低。
连接到传输线上的任何串联连接都有一些相应的串联回路电感。而这种电感的突变会对近端信号造成非单调变化(先升后降),而在远端使传输信号出现过冲。当信号的上升沿通过电感器时,则电感阻抗为:
Z=V/I=(L*dI/dt)/I=L/RT? (10-1)
Z为电感阻抗(Ohm),L为突变处串联电感值(nH),RT为信号上升边(ns)
因为要保证反射信号约为信号摆幅的10%,所以分立电感器引起的串联阻抗突变引起的增量小于导线阻抗的20%,因此可得经验法则:
Lmax <0.2*Zo*RT? (10-2)
Zo为传输线特性阻抗(Ohm),Lmax为最大串联电感值(nH),RT为信号上升边(ns)
可以建立如下仿真模型:
图10.1感性突变的反射仿真模型
驱动器:阶跃电源VtStep,上升时间1ns,幅值为1V:
驱动器内阻:10Ohm;
源端端接电阻:40Ohm:
时域扫描:结束时间6ns,步长0.01ns:
TLD33、TLD34特性阻抗均为50Ohm,时延为1ns的传输线:
终端负载输入电阻可看作开路。
图10.2串联电感值为0nH\5nH\10nH时的反射信号(左)和传输信号(右)
改变串联电感值,使其分别等于0、5nH、10nH,对应的反射信号和传输信号如图10.2所示。可知随着电感值的增加,信号过冲幅值逐渐增加,传输信号的时延逐渐增加。当电感值为10nH时,反射信号,传输信号过冲幅值基本等于传输信号稳态值的10%。因此可以认为当特性阻抗50Ohm,信号上升边1ns时,可容许最大串联电感值为10nH。符合式10-2中的结论。
图10.3不同串联电感值下的时延累加(信号源上升边为50ps)
当信号源上升边为50ps时,串联电感值分别为0、5nH、10nH时,传输信号的延时累加如图10.3所示,其对应的时延累加为0、50ps、100ps(待更新),与式(10-4)结论相符。
设计中常需要使用到专用连接件,电路中串联回路电感不可避免。因此需要采用补偿技术来控制串联回路电感产生的反射噪声。如图11.1所示,补偿方法为在连接件(串联回路电感L4)的两端并接补偿电容C2、C3,使连接件如同传输线的一部分,从而消除反射噪声。
补偿电容的计算方法为:
C=L1/Z^2?(11-1)
其中C为补偿电容(nF),L1为连接件电感(nH),Z为传输线特性阻抗(Ohm):
而最佳的接法为将补偿电容C分为两部分加载电容的两侧,即令C2=C3=0.5C。
图11.1补偿仿真模型
驱动器:阶跃电源VtStep,上升时间1ns,幅值为1V
驱动器内阻:10Ohm
源端端接电阻:40Ohm
时域扫描:结束时间20ns,步长0.01ns
L1电感值10nH
C2、C3均2pF
TLD39、TLD40特性阻抗均为50Ohm,时延为1ns的传输线
终端负载输入电阻可看作开路
图11.2分别在有连接件(蓝)、无连接件(红)、补偿情况(紫)的源端信号(左)和接收端信号(右)
如图11.2所示,有连接件未补偿情况下的接收端信号和源端信号相比无连接件信号,均出现了过冲,而补偿后的接收端信号和源端信号,反射噪声得到了抑制,较小的波动可以忽略,基本与无连接件信号重合。这说明补偿确实可以抑制感性突变对信号带来的不良影响。
串扰(Crosstalk)是四类信号完整性问题之一,指的是有害信号从一个线传递到相邻线。任何一对线之间都存在串扰。通常我们把噪声源所在的线称为动态线或攻击线,而把有噪声形成的线称为静态线或受害线。静态线上的靠近驱动源的一端称为近端,远离驱动端的一端称为远端,NEXT系数代指近端串扰(静态线上近端噪声峰值/动态线上信号电压),FEXT系数代指远端串扰(静态线上远端噪声峰值/动态线上信号电压)。经验法则:最大容许串扰约是信号摆幅的5%。
图12.1·近端噪声和远端噪声时间关系图
TD指的是耦合区域的时延,近端噪声持续时间是2*TD-RT,远端噪声持续时间是RT,近端噪声幅度随着耦合长度增加而增加,最终达到饱和,在饱和长度之前,有串扰率/饱和时串扰率=耦合长度L/饱和长度,近端串扰饱和长度计算公式:1/2*RT*v。远端噪声的峰值与耦合长度成比例,同时随着上升时间减小,远端噪声的脉冲宽度也减小,而峰值增加。
FEXT的计算关系式如下:
其中,FEXT表示远端串扰系数,Len表示耦合长度,RT表示上升时间, 表示信号传播速度,CmL 表示单位长度互容C12,CL表示信号路径上单位长度电容C11,LmL表示单位长度互感L12,LL表示信号路径上单位长度电感L11。
对于理想带状线:导线周围介质材料是同质且均匀分布,那么相对容性耦合和相对感性耦合完全相同,不会出现远端串扰。
以下为ADS串扰仿真模型:
图12.2串扰仿真模型
驱动器:阶跃电源VtStep,上升时间0.1~0.5ns,幅值0.2V
终端负载电阻:50Ohm
耦合长度:500~4000mil,步进500mil
时域扫描:结束时间5ns,步长=(上升时间/3)ns
层叠:使用ADS默认的四层板层叠
设置线宽为17.3048mil,线间距为17.3048mil(50Ω单端,1倍线宽),设置耦合长度为4000mil(大于理论饱和长度≈1/2*0.5ns*6in/ns=1500mil)。如下图,NEXT=4mV,根据4000mil的仿真结果反推TD约为0.6085ns(与理论TD=耦合长度/6in/ns=4mil/6in/ns=0.667ns相近),反推饱和长度为1600mil(与理论饱和长度1500mil相近)。
图12.3 走线间距为1倍线宽,RT=0.1ns,耦合长度逐步增加串扰图
如图12.3,耦合长度为1000mil时(小于饱和长度),此时近端噪声峰值小于NEXT,为2.479mV。耦合长度为500mil时,近端噪声峰值为1.254mV(可以发现近端噪声在耦合长度小于饱和长度时,实际噪声峰值与耦合长度与饱和长度的比值成比例)。而远端噪声随着耦合长度增加成比例增加,没有饱和长度。
更改线间距为51.9144mil(3倍线宽)时,可以看到近端和远端串扰大幅降低:
图12.4 走线间距为3倍线宽,RT=0.1ns,耦合长度逐步增加串扰图
更改上升时间RT为0.1~0.5ns,步进0.1ns,可以发现当上升时间变短时近端噪声峰值基本没变,远端串扰脉冲宽度减小,同时峰值增加:
图12.5 走线间距为1倍线宽,耦合长度为4000mil,RT=0.1~0.5ns串扰图
减小近端串扰方法:
①增大线间距②靠近返回平面③减小耦合长度(小于饱和长度)④使用防护布线(带状线)
减小远端串扰方法:
①增大线间距②靠近返回平面③减小耦合长度④拉长上升边⑤在表面层导线上方加介质材料⑥将敏感线布成带状线⑦使用防护布线(带状线)
端接共模信号不是消除共模信号,只是阻止共模信号在电路之间往返振荡,端接的办法有4种。
第一种办法是π型端接,在每条信号线与返回路径之间接上一个电阻器,这两个电阻器并联时的阻值应等于共模阻抗。
图13.1 差分对π型端接结构
共模信号受到的等效电阻为两个电阻器R2的并联,差分信号受到的等效电阻为两个电阻器R2串联后再和电阻器R1并联。对于典型的紧耦合差分对而言,奇模阻抗大致为50Ω,偶模阻抗大致为55Ω,此时两条信号线之间的电阻值R1应为1kΩ,每条线与返回路径之间的电阻R2为55Ω。这种方式能同时端接100Ω差分阻抗和27.5Ω共模阻抗。
第二种办法是T型端接,差分信号受到的等效电阻是两个电阻器R1的串联,共模信号受到的等效电阻是两个电阻器R1并联后再和R2串联。对于典型的紧耦合差分对而言,T型端接中R1为50Ω,中央抽头与返回路径之间的电阻器为2.5Ω。
图13.2 差分对T型端接结构
第三种是在T型端接中加入隔直流电容,选择电容要保证共模信号受到的时间常数(RC)远大于信号中的最低频率分量所对应周期的数值,保证在信号最低频率分量内电容器的阻抗小于电阻器的阻抗。作为一阶估计,电容初步选择:
表示共模阻抗,例如共模阻抗为25Ω,上升边为0.1ns,那么隔直流电容约为10ns/25Ω=0.4nF。
第四种办法是直接将每个信号线通过50Ω电阻端接到VTT电源,这一方案优点提供了良好的差分信号端接、适当的共模信号端接,以及良好的功耗,而且可以针对芯片上的阻抗端接。
使用DeignGuide中信号完整性应用的4port仿真做为模板修改,这样可以节省很多时间,当然照着模板自己搭建也没有问题
图13.3 差分对仿真条件(Ⅰ)
图13.4 差分对仿真条件(Ⅱ)
图13.5 π型端接仿真结果(Ⅰ)
图13.6 π型端接仿真结果(Ⅱ)
可以看到在π型端接结构下,差分对眼图有明显改善,反射减小了,但是信号被端接电阻分压,插损增大。
图13.7 T型端接仿真结果(Ⅰ)
图13.8 T型端接仿真结果(Ⅱ)
可以看到在T型端接结构下,差分对眼图有明显改善,反射减小了,但是信号被端接电阻分压,插损增大。
图13.9 T型端接中加入隔直流电容
可以看到增加隔直流电容波形没有明显变化
图13.10 VTT端接仿真结果(Ⅰ)
图13.11 VTT端接仿真结果(Ⅱ)
可以看到VTT端接结果与π、T型端接相似
?待更新
待更新
待更新
普通过孔呈容性,信号经过时会出现阻抗下跌并引起反射,因此高速信号对过孔进行建模仿真和补偿也是相当重要的。
工具:ADS Via Designer过孔建模模块,Via Designer调用的是ADS EMPro仿真引擎,采用FEM(三维全波有限元法)。
1)从”Tool”—>”Via Designer”进入
2)如果ADS中没有设置层叠会提示报错。建立层叠一般采用两种方式(个人习惯b)
? ? ? a)PCB导入ADS,这个网络上有很多教程,不赘述。
? ? ? b)自己设置层叠的话,可以参照板厂EQ给出的层叠文件,更加贴近实际情况:
c)设置完成后可以点一下file-Check检查一下有没有错误
3)成功进入Via Designer后按照实际Substrate设置层属性
4)对Via各个参数进行设置
5)过孔的仿真只需要设置仿真的start和stop频率即可。软件会根据stop频率,以及仿真尺寸的大小,自动剖分mesh,并设置仿真频率点
6)仿真完成后可以查看S参数和TDR曲线是否满足要求
7)File--Export to cell选择想要导出的仿真结果,导出后结果可用于原理图仿真等