VLSI超大规模集成电路设计复习

发布时间：2024年01月19日

目录

VLSI超大规模集成电路设计复习

复习可参照官网PPT上的知识点，然后根据知识点对应的去看书上的讲解。

引论

  • 摩尔定律

  • 尺寸缩小定律

  • N、P型半导体

  • 阱

  • PMOS、NMOS
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  • 传输管

  • 静态逻辑传输门

  • 全复原门

  • 德摩根定律

  • NMOS传输特性（强0弱1）

  • PN结

  • 6层掩膜（阱、多晶硅、n+扩散、p+扩散、接触、金属）
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  • 版图和棒图

  • 常见逻辑门结构（反相器、与非门、或非门、三态门）

  • 复合门设计（互补导通）

MOS原理

  • mos管工作区域
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  • I-V特性（公式）
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  • 静态CMOS反相器的直流特性
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  • β比例效应（偏斜反相器，高偏斜、低偏斜）

  • 噪声容限
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  • 传输管直流特性（阈值损失）

延时

  • RC延时模型

  • 等效RC电路，栅电容、扩散电容
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  • Elmore延时

  • 线性延时模型（逻辑努力、电气努力、寄生延时）
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  • 多级网络延时

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组合逻辑

  • 推气泡法
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  • 外层输入、内层输入

  • 不对称门

  • 偏斜门

  • 最佳P\N比

  • 有比逻辑门

  • 伪NMOS

  • 动态电路

  • 足管

  • 单调性

  • 多米诺电路

  • 双轨多米诺

  • 电荷泄露（保持器）

  • 电荷共享（辅助预充晶体管）

时序电路

  • 时序控制方法（触发器、两相位透明锁存器、脉冲锁存器）
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  • 时序符号
    • Tc时钟周期
    • tpw脉冲宽度
    • tnonoverlap相位间隔
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  • 最大延时约束
  • 最小延时约束
  • 时间借用
  • 时钟偏斜
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  • 锁存器设计
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  • 触发器设计
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SRAM

  • 存储阵列分类
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  • 存储阵列结构
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  • 6管SRAM结构、尺寸要求
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  • SRAM读、写过程

总结（一张纸）

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参考资料

[1] 数字电路延时公式
[2] CMOS超大规模集成电路设计(第四版)
[3] 官网PPT
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文章来源:https://blog.csdn.net/weixin_46191137/article/details/135605495
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