AOD414-VB场效应管一款N沟道TO252封装的晶体管

发布时间:2024年01月05日

VBsemi AOD414-VB MOSFET 参数:
- 封装:TO252
- 沟道类型:N—Channel
- 最大电压:30V
- 最大电流:100A
- RDS(ON):2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1.9V

应用简介:
该 MOSFET 适用于高电流、低电压的应用,常用于电源开关、电机驱动和功率管理电路。N—Channel沟道类型使其在负载开关和电源管理中表现出色。

使用领域模块:
1. 电源开关:作为高电流开关元件,用于电源系统。
2. 电机驱动:在低电压条件下,用于电机控制和驱动电路。
3. 功率管理电路:用于高电流、低电压的功率管理应用。

作用:
1. 提供高电流、低电压条件下的优越性能。
2. 适用于需要高功率开关的电源系统。
3. 在电机控制和驱动电路中实现可靠的功率开关。

使用注意事项:
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作,以避免损坏设备。
2. 在设计中考虑适当的散热措施,以确保器件在额定工作温度下稳定运行。
3. 避免超过最大额定电流和电压,以防止设备过载。
4. 在使用过程中,注意静电防护,避免损坏敏感元件。

文章来源:https://blog.csdn.net/VBsemi_MOS/article/details/135378985
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