集成功率级 SIC632ACD-T1-GE3 门驱动器的特性

SIC632ACD-T1-GE3是针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SIC632ACD-T1-GE3封装专有的5 mm x 5 mm MLP封装中，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。

SIC632ACD-T1-GE3 内部功率MOSFET利用Vishay最先进的第四代沟槽FET技术，提供行业基准性能，显著降低开关和导通损耗。

SIC632ACD-T1-GE3集成了先进的MOSFET栅极驱动器IC，具有高电流驱动能力、自适应死区控制、集成自举肖特基二极管、警告系统结温过高的热警告（THWn），以及、零电流检测，以提高轻负载效率。驱动器还与广泛的PWM控制器兼容，并支持三态PWM、3.3 V PWM逻辑。

SIC632ACD-T1-GE3产品特性：

1.热增强型PowerPAK-MLP55-31L封装

2.Vishay的第四代MOSFET技术和集成肖特基二极管的低端MOSFET

3.提供高达50 A的连续电流

4.高效性能

5.高达1.5 MHz的高频操作

6.针对19 V输入级优化的功率MOSFET

7.3.35VPWM逻辑，具有三态和保持

8.零电流检测控制提高轻载效率

9.低PWM传播延迟（<20 ns）

10.更快的禁用

11.热监视器标志

12.VCIN的欠电压锁定

产品应用领域：

笔记本电脑

数码相机

通信设备

可编程控制器

交流适配器